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SPB80N03S2L-05

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बड़ी छवि :  SPB80N03S2L-05

उत्पाद विवरण: भुगतान & नौवहन नियमों:
विवरण: MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

SPB80N03S2L-05

वर्णन
श्रेणी: असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs एफईटी सुविधा: -
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 110μA परिचालन तापमान: -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला: TO-263-3, D²Pak (2 लीड + टैब), TO-263AB गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: 89.7 एनसी @ 10 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 4.9mOhm @ 55A, 10V एफईटी प्रकार: n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): 4.5 वी, 10 वी पैकेज: टेप और रील (TR)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): 30 वी वीजीएस (अधिकतम): ± 20 वी
उत्पाद की स्थिति: अप्रचलित इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds: 3320 पीएफ @ 25 वी
माउंटिंग प्रकार: सतह माउंट श्रृंखला: ऑप्टिमोस™
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: पीजी-TO263-3-2 एमएफआर: इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80 ए (टीसी) बिजली अपव्यय (अधिकतम): 167W (टीसी)
प्रौद्योगिकी: MOSFET (धातु ऑक्साइड) मूल उत्पाद संख्या: एसपीबी80एन

एन-चैनल 30 V 80A (Tc) 167W (Tc) सतह माउंट PG-TO263-3-2

सम्पर्क करने का विवरण
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

व्यक्ति से संपर्क करें: Miss. Coral

दूरभाष: +86 15211040646

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