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| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs | एफईटी सुविधा: | - |
|---|---|---|---|
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 3.9V @ 1mA | परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| पैकेज / मामला: | TO-220-3 | गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 95 एनसी @ 10 वी |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: | 190mOhm @ 13.1A, 10V | एफईटी प्रकार: | n- चैनल |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | 10 वी | पैकेज: | ट्यूब |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 560 वी | वीजीएस (अधिकतम): | ± 20 वी |
| उत्पाद की स्थिति: | अप्रचलित | इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds: | 2400 पीएफ @ 25 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से | श्रृंखला: | कूलएमओएस™ |
| आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | पीजी-टीओ220-3-1 | एमएफआर: | इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: | 21A (Tc) | बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 208W (टीसी) |
| प्रौद्योगिकी: | MOSFET (धातु ऑक्साइड) | मूल उत्पाद संख्या: | एसपीपी21एन |
एन-चैनल 560 V 21A (Tc) 208W (Tc) होल के माध्यम से PG-TO220-3-1
व्यक्ति से संपर्क करें: Liu Guo Xiong
दूरभाष: +8618200982122
फैक्स: 86-755-8255222
