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IPP03N03LA

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बड़ी छवि :  IPP03N03LA

उत्पाद विवरण: भुगतान & नौवहन नियमों:
विवरण: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3

IPP03N03LA

वर्णन
श्रेणी: असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs एफईटी सुविधा: -
वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: 2V @ 100μA परिचालन तापमान: -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे)
पैकेज / मामला: TO-220-3 गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: 57 एनसी @ 5 वी
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: 3mOhm @ 55A, 10V एफईटी प्रकार: n- चैनल
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): 4.5 वी, 10 वी पैकेज: टेप और बॉक्स (टीबी)
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): 25 वी वीजीएस (अधिकतम): ± 20 वी
उत्पाद की स्थिति: अप्रचलित इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds: 7027 पीएफ @ 15 वी
माउंटिंग प्रकार: छेद से श्रृंखला: ऑप्टिमोस™
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: पीजी-TO220-3 एमएफआर: इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज
करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: 80 ए (टीसी) बिजली अपव्यय (अधिकतम): 150W (टीसी)
प्रौद्योगिकी: MOSFET (धातु ऑक्साइड) मूल उत्पाद संख्या: IPP03N

एन-चैनल 25 वी 80 ए (टीसी) 150 डब्ल्यू (टीसी) छेद के माध्यम से पीजी-टीओ 220-3

सम्पर्क करने का विवरण
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

व्यक्ति से संपर्क करें: Miss. Coral

दूरभाष: +86 15211040646

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