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| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs | एफईटी सुविधा: | - |
|---|---|---|---|
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2V @ 60μA | परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 175 डिग्री सेल्सियस (टीजे) |
| पैकेज / मामला: | TO-262-3 लॉन्ग लीड्स, I²Pak, TO-262AA | गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस: | 32 एनसी @ 5 वी |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: | 4.2mOhm @ 55A, 10V | एफईटी प्रकार: | n- चैनल |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | 4.5 वी, 10 वी | पैकेज: | ट्यूब |
| ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 25 वी | वीजीएस (अधिकतम): | ± 20 वी |
| उत्पाद की स्थिति: | अप्रचलित | इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds: | 3877 पीएफ @ 15 वी |
| माउंटिंग प्रकार: | छेद से | श्रृंखला: | ऑप्टिमोस™ |
| आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | पीजी-टीओ262-3 | एमएफआर: | इन्फिनियन टेक्नोलॉजीज |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: | 80 ए (टीसी) | बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 107W (टीसी) |
| प्रौद्योगिकी: | MOSFET (धातु ऑक्साइड) | मूल उत्पाद संख्या: | IPI04N |
एन-चैनल 25 वी 80 ए (टीसी) 107 डब्ल्यू (टीसी) छेद के माध्यम से पीजी-टीओ 262-3
व्यक्ति से संपर्क करें: Liu Guo Xiong
दूरभाष: +8618200982122
फैक्स: 86-755-8255222
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