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| श्रेणी: | असतत अर्धचालक उत्पाद ट्रांजिस्टर FETs, MOSFETs एकल FETs, MOSFETs | एफईटी सुविधा: | - |
|---|---|---|---|
| उत्पाद की स्थिति: | डिजी-की पर बंद कर दिया गया | माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट |
| वीजीएस (वें) (अधिकतम) @ आईडी: | 2V @ 250µA | इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ Vds: | 50 पीएफ @ 25 वी |
| श्रृंखला: | - | वीजीएस (अधिकतम): | ± 20 वी |
| पैकेज: | टेप और रील (टीआर) कट टेप (सीटी) | आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | एसओटी-523 |
| आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस: | 7.5Ohm @ 50mA, 5V | एमएफआर: | डायोड शामिल |
| परिचालन तापमान: | -55 डिग्री सेल्सियस ~ 150 डिग्री सेल्सियस (टीजे) | एफईटी प्रकार: | n- चैनल |
| ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू): | 5 वी, 10 वी | बिजली अपव्यय (अधिकतम): | 150mW (टा) |
| पैकेज / मामला: | एसओटी-523 | ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस): | 60 वी |
| करंट - कंटीन्यूअस ड्रेन (Id) @ 25°C: | 115mA (टा) | प्रौद्योगिकी: | MOSFET (धातु ऑक्साइड) |
| मूल उत्पाद संख्या: | 2एन7002 |
एन-चैनल 60 V 115mA (Ta) 150mW (Ta) सतह माउंट SOT-523
व्यक्ति से संपर्क करें: Liu Guo Xiong
दूरभाष: +8618200982122
फैक्स: 86-755-8255222
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